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  • 檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "passivation layer".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氫化非晶矽"


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    低溫鋁擴散於氫化非晶矽層形成p型膜層及氫化氮化矽應用於矽晶片鈍化之研究
    • 化學工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 徐俊硯 指導教授: 洪儒生
    • 本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後, 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現, 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘,p 型膜層呈現微 晶化的結構,其導電率可…
    • 點閱:326下載:0
    • 全文公開日期 2015/07/30 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    氫化非晶矽化合物作為指叉式矽晶太陽能電池鈍化層之研究
    • 化學工程系 /96/ 碩士
    • 研究生: 張朝南 指導教授: 洪儒生
    • 本研究主要利用低溫、低電漿密度的UHV-PECVD系統成長太陽能電池的i層鈍化層,其材料種類有a-Si:H、a-SiOx:H、a-SiNx:H及a-SiCONx:H,並使用金屬遮罩搭配獨立腔體聯結式…
    • 點閱:320下載:0
    • 全文公開日期 2013/08/04 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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